SO-8 mosfet, NXP cuts on-resistance to make 1.4mohm

NXP Semiconductors has introduced a mosfet in a SO8 package with a low RDSon of just 1.4mohm at 4.5V.

NXP cuts on-resistance

The Power-SO8 package is qualified to 175 deg C

According to the supplier, the device is the first in the NextPower LFPAK series of 25V and 30V mosfets which will be expanded to a full portfolio in the coming months.

“The low RDSon significantly reduces losses; this in turn enables increased energy efficiency of new generations of electronic products with better energy ratings and smaller dimensions,” said Charles Limonard, marketing manager, Power mosfets, NXP Semiconductors.

N-channel 30 V 1.15 m? logic level mosfet in LFPAK – PSMN1R0-30YLC

Logic level enhancement mode N-channel MOSFET in LFPAK package. This product is designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications and domestic equipment.

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A Propos De L'Auteur

Ibrar Ayyub

Je suis expérimenté, rédacteur technique, titulaire d'une Maîtrise en informatique de BZU Multan, Pakistan à l'Université. Avec un arrière-plan couvrant diverses industries, notamment en matière de domotique et de l'ingénierie, j'ai perfectionné mes compétences dans la rédaction claire et concise du contenu. Compétent en tirant parti de l'infographie et des diagrammes, je m'efforce de simplifier des concepts complexes pour les lecteurs. Ma force réside dans une recherche approfondie et de présenter l'information de façon structurée et logique format.

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